英唐智控董事会审议通过了《关于签署的议案》，为贯彻并实施公司向上游半导体纵向延伸的战略布局，公司与ChangYorkYuan(以下简称“张远”)、GTechSystemsGroupInc.,(以下简称“GTSGI”)签署《合作协议》，在半导体投资、研发设计、生产制造等方面进行深度合作，根据《合作协议》，公司应于英唐微技术有限公司(以下简称“英唐微技术”或“MTC”)股权收购交割日起30天内受让上海芯石10%-20%的股权。

11月16日，英唐智控发布关于收购上海芯石股权的进展公告称，英唐微技术收购完成后，公司正在持续推进对英唐微技术现有的技术、产品及产线的深入了解、对接和融合，努力发挥和挖掘英唐微技术的潜能及其所处日本半导体产业核心区域的位置优势，为实施公司向上游半导体纵向延伸战略提供有力的抓手，同时公司围绕SiC等第三代半导体器件产品持续开展产业布局，逐步实现从设计、制造到销售的全产业链条。其中SiC功率器件的生产制造能力正在通过对英唐微技术产品线的部分改造来获得，而对SiC功率器件产品的设计研发能力，公司主要是依托于上海芯石在SiC领域的技术沉淀和人才储备。为更好地匹配公司的战略布局，实现公司与上海芯石利益的高度统一，并深度绑定上海芯石管理及技术团队。自公司收购完成英唐微技术后，公司与上海芯石控股股东北京吉泰科源科技有限公司(以下简称“吉泰科源”)、吉泰科源股东以及原《合作协议》各签署方一直就原参股上海芯石10%-20%股权的方案升级为收购其多数股权并实现控股的方案进行协商。

截止本公告披露日各方已就控股方案达成初步意见并签订了《关于的补充协议》(以下简称“《补充协议》”)，英唐智控拟通过股权转让或增资的方式(以最终协议约定为准)取得上海芯石40%股权并成为第一大股东(以下简称“本次交易”)，最终交易价格将由交易各方参考具备证券从业资格的独立第三方机构估值报告协商确定。

英唐智控表示，公司完成对英唐微技术100%股权收购的交割工作后，正在持续推进对英唐微技术现有的技术、产品及产线的深入了解、对接和融合，努力发挥和挖掘英唐微技术的潜能及其所处日本半导体产业核心区域的位置优势，为实施公司向上游半导体纵向延伸战略提供有力的抓手。公司围绕第三代半导体器件产品持续开展产业布局，将逐步实现从设计、制造到销售的全产业链条。在生产制造方面，公司正在对英唐微技术现有生产线进行部分改造，在第一阶段改造完成后，公司将拥有完全自主的第三代半导体SiC功率器件的生产能力。但公司在SiC功率器件领域的研发力量目前还是主要依托原来拟参股的上海芯石、已经收购的英唐微技术的研发团队和技术储备。

其中上海芯石以其子公司上芯石微电子有限公司为基础，在半导体件芯片尤其是肖特基二极管芯片(SBD)领域已经具有了十几年的技术储备及行业经验，业务产品主要覆盖两大类别：Si类(SBD、FRED、MOSFET、IGBT、ESD等功率芯片产品)、SiC类：(SiC-SBD、SiC-MOSFET)。分别形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中SiC产品领域目前形成了2项实用新型专利、2项集成电路布图，1项发明专利(实审)，具体情况如下：

在三代半导体SiC-SBD器件领域，上海芯石已经成功开发了600V、1200V、1700V、3300V产品，而当前市场主流产品集中在1700V以下，超过1700V的本土高压高频高功率器件并不多见。上海芯石已经通过代工厂实现了部分SiC型号产品的小批量量产并形成销售收入，其未来SiC器件流片、大批量制造工作可直接由产线改造升级完成后的英唐微技术进行承接，实现公司设计、制造业务的高效对接。同时，公司拟以上海芯石为平台，持续吸收国内在半导体芯片，尤其是第三代半导体领域的优秀技术人才和团队，不断提升和丰富公司在上述领域的产品设计研发能力。

因此上海芯石的技术储备和行业经验是继英唐微技术后，公司逐步完善半导体芯片，特别是第三代半导体设计、制造及销售全产业链条的重要抓手，对其收购控股，将可以极大的保障上海芯石在第三代半导体领域的技术、行业优势全面快速的转化为公司自身优势，并最大限度的服务于公司整体战略目标的实现。

值得注意的是，截至本公告披露日，本次交易尚未签署正式协议，协议具体条款包括交易对价、股份取得方式等尚需在中介机构尽调完成后进一步协商确定，本次交易的正式协议及最终实施尚需经过公司及上海芯石各自的董事会、股东大会(如需)审批通过，因此本次交易实施时点及最终能否实施存在不确定性。(校对/GY)